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BSM150GB120DN2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
BSM150GB120DN2 |
| 参数属性 | BSM150GB120DN2 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 210A 1250W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | BSM150GB120DN2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM150GB120DN2规格书详情
简介
BSM150GB120DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM150GB120DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
BSM150GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，150A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 210A 1250W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
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EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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欧派克 |
23+ |
NA |
6500 |
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EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
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Infineon Technologies |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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0 |
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