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BSM100GB120DN2K数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
BSM100GB120DN2K |
参数属性 | BSM100GB120DN2K 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 145A 700W |
功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
封装外壳 | 模块 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | Infineon |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 11:03:00 |
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BSM100GB120DN2K规格书详情
简介
BSM100GB120DN2K属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM100GB120DN2K晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
BSM100GB120DN2KHOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,100A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 145A 700W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
AG-34MM-1 |
315000 |
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INFINEON |
23+ |
原厂正规渠道 |
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询价 | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原厂封装 |
6800 |
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Infineon(英飞凌) |
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AG-34MM-1 |
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INFINEON/德国英飞凌 |
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INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
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询价 | ||
INFINEON |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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