BSM150GB120DN2HOSA1_分立半导体产品晶体管-IGBT-模块-英飞凌

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10+	¥1,908.14400

厂家型号：
BSM150GB120DN2HOSA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-IGBT-模块
封装外壳：
模块
包装：
散装
安装类型：
底座安装
更新时间：
2024-4-30 8:24:00

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原厂料号：BSM150GB120DN2HOSA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：IGBT MOD 1200V 210A 1250W

BSM150GB120DN2HOSA1是分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。制造商INFINEON/英飞凌生产封装模块的BSM150GB120DN2HOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

芯片型号：
bsm150gb120dn2hosa1
规格书：
下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
IGBT MOD 1200V 210A 1250W

产品属性

类型
描述
产品编号：
BSM150GB120DN2HOSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
散装
配置：
半桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，150A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块
描述：
IGBT MOD 1200V 210A 1250W

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BSM150GB120DN2HOSA1

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