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BSM150GB120DN2分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSM150GB120DN2 |
| 参数属性 | BSM150GB120DN2 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 210A 1250W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
131.29 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Siemens Semiconductor Group |
| 企业简称 |
SIEMENS【西门子】 |
| 中文名称 | 德国西门子股份公司官网 |
| 原厂标识 | SIEMENS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 9:31:00 |
| 人工找货 | BSM150GB120DN2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM150GB120DN2规格书详情
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
产品属性
- 产品编号：
BSM150GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，150A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 210A 1250W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
MODULE |
7300 |
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INFINEON |
MODULE |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
原装模块 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
IGBT |
23+ |
55 |
询价 | ||||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MODULE |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
EUPEC |
08+ |
IGBT |
77 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
询价 | ||
EUPEC |
23+24 |
模块 |
2980 |
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询价 |
