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BSM150GAL120DN2中文资料西门子数据手册PDF规格书

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厂商型号

BSM150GAL120DN2

功能描述

IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)

文件大小

81.21 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 18:38:00

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产品属性

  • 型号:

    BSM150GAL120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 1200V 150A CHOPPER

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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