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BSM10GD120DN2E3224分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BSM10GD120DN2E3224 |
参数属性 | BSM10GD120DN2E3224 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 |
功能描述 | Power module |
文件大小 |
306.71 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-29 17:41:00 |
BSM10GD120DN2E3224规格书详情
BSM10GD120DN2E3224属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。英飞凌科技公司制造生产的BSM10GD120DN2E3224晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
- 产品编号:
BSM10GD120DN2E3224BPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
散装
- 配置:
全桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,10A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
AG-ECONO2B
- 描述:
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Siemens/西门子 |
1950+ |
980 |
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SIEMENS |
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模块 |
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模块 |
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MODULE |
1000 |
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