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BSM150GB170DN2E3166	文件：129.88 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area) IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Enlarged diode area • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 10 Ohm 文件：129.88 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM150GB120DLC	文件：268.366 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM150GB120DLC 文件：268.366 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GB170DLC	文件：85.451 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM150GB170DLC 文件：85.451 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GB170DN2	文件：138.105 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT BSM150GB170DN2 文件：138.105 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GB60DLC	文件：79.642 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM150GB60DLC 文件：79.642 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GT120DLC	文件：97.433 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT BSM150GT120DLC 文件：97.433 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GAL120DN2	文件：81.21 Kbytes Page：5 Pages	IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) 文件：81.21 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM150GAL120DN2E3166	文件：80.48 Kbytes Page：5 Pages	IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) 文件：80.48 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM150GB60DLC	文件：75.28 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Modules 文件：75.28 Kbytes 页数：8 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM150GT120DN2	文件：182 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) 文件：182 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS

详细参数

型号：
BSM150
功能描述：
IGBT 模块 1200V 150A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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