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BSH103BK	文件：288.26 Kbytes Page：13 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStaticDis	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSW-103-XX-X	文件：220.7 Kbytes Page：1 Pages	BOTTOMMOUNTSTRIPS Bottommountsocket stripsaccept.025“SQ terminals:. Idealforsolderingand pluggingfromthesame sideoftheboard Forlowprofile connectionsandhigh temperaturesoldering,.	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
BT103	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BU103	文件：113.26 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103A	文件：295.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·ContinuousCollectorCurrent-IC=1A ·CollectorPowerDissipation- :PC=30W@TC=25℃ APPLICATIONS ·DesignedforTVverticalapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU103A	文件：126.48 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •ContinuousCollectorCurrent-lc=1A •CollectorPowerDissipation- :Pc=30W@TC=25°C APPLICATIONS •DesignedforTVverticalapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU103A	文件：115.62 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103AD	文件：117.4 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103AH	文件：111.12 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103BD	文件：117.22 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO

详细参数

型号：
BSH103,235
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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