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BSS123	文件：133.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS123	文件：284.54 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：67.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor SIPMOS®Small-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：145.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：98.79 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:6.0Ω LowInputCapacitance:20PF LowOutputCapacitance:9PF LowThreshole:2.8V FastSwitchingSpeed:20ns Application: DCtoDCConverter Cellular&PCMCIACard CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BSS123	文件：367.31 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123	文件：128.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123	文件：128.509 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：627.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •VoltageControlledSmallSignalSwitch •SurfaceMountPackage •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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详细参数

型号：
BRA123ECM
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
PNP Built-in Resistor Transistor CMPAK Series Inverter, Driver, Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BRA123ECMTL	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	SOT-70	8900	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	24+	SOT-70	2700	原装现货假一罚十	询价
上海市鑫鸿达电子	BRA123ECMTL	HITACHI/日立	2022+		3000	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BRA123ECMTL	未知	23+	BR-4	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	01+	SOT323	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛美科科技有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	23+	SOT323	3000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市中福国际管理有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	20+	SOT323	3000	进口原装现货,假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	21+	SOT323	3000	原装现货假一赔十	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BRA123EMPTL	HITACHI/日立	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价

更多BRA123ECM供应商更新时间2025-5-22 10:50:00

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