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BSS123	文件：202.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123	文件：1.07264 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BSS123	文件：320.98 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET–ESDProtected Features RDS(ON),VGS@10V,ID@170mA	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BSS123	文件：1.54835 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BSS123	文件：143.93 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET FEATURES •’Trench’technology •Extremelyfastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemounting package GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode field-effecttransistorinaplastic envelopeusing’trench’ technology. Applications:- •Relaydriver •High-spe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS123	文件：1.51624 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS123	文件：493.66 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURE: ●RuggedandRelaible ●HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) ●SurfaceMountPackage ●VoltageControlledSmallSignalSwitch VDS(V)=100V ID=0.17A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BSS123	文件：937.51 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BSS123A	文件：45.25 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123-G	文件：202.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
BRA123ECM
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
PNP Built-in Resistor Transistor CMPAK Series Inverter, Driver, Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BRA123ECMTL	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	SOT-70	8900	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	24+	SOT-70	2700	原装现货假一罚十	询价
上海市鑫鸿达电子	BRA123ECMTL	HITACHI/日立	2022+		3000	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BRA123ECMTL	未知	23+	BR-4	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	01+	SOT323	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛美科科技有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	23+	SOT323	3000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	BRA123ECMTL	HITACHI	21+	SOT323	3000	原装现货假一赔十	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BRA123EMPTL	HITACHI/日立	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BRA124ECM	HITACHI/日立	2450+	SOT23-3	6540	只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!	询价

更多BRA123ECM供应商更新时间2025-7-27 10:50:00

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