BSS123分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BSS123
参数属性	BSS123 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
功能描述	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
丝印标识	SA-
封装外壳	SOT-23
文件大小	145.18 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Fairchild
中文名称	仙童半导体
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更新时间	2025-11-12 11:35:00
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BSS123规格书详情

General Description

These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This product is particularly suited to low voltage, low current applications, such as small servo motor controls, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

特性 Features

■ BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V.

BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V

■ High density cell design for extremely low RDS(ON).

■ Voltage controlled small signal switch.

■ Rugged and reliable.

产品属性

产品编号：
BSS123
制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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