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BLS9G3135L-400中文资料LDMOS S-band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
BLS9G3135L-400规格书详情
描述 Description
400 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 3.1 GHz to 3.5 GHz
特性 Features
• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Designed for S-band operation
• Excellent thermal stability
• Easy power control
• Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
• High flexibility with respect to pulse formats
• Internally matched for ease of use
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
应用 Application
• S-band radar applications in the frequent range 3.1 GHz to 3.5 GHz
技术参数
- 制造商编号
：BLS9G3135L-400
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：12.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：43.0
- PL(1dB) (W)
：400.0
- PL(1dB) (dBm)
：56.0
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：3100
- Fmax (MHz)
：3500
- Status
：Production
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPEGARRY |
24+ |
NA |
80000 |
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JST |
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询价 | ||
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24+ |
DIP |
880000 |
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24+ |
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DIP |
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询价 | ||
PHI |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
DIP |
2500 |
询价 | |||
JST |
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JST/日压 |
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连接器 |
728922 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
