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BLS7G3135L-350P中文资料LDMOS S-Band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
BLS7G3135L-350P规格书详情
描述 Description
350 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
High flexibility with respect to pulse formats
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
S-Band power amplifiers
Radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：BLS7G3135L-350P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：12.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：43.0
- PL(1dB) (W)
：350.0
- PL(1dB) (dBm)
：55.4
- Test Signal
：Pulsed RF @3.1 GHz
- Fmin (MHz)
：3100
- Fmax (MHz)
：3500
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3372 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NEW |
6618 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT |
3570 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
SOT539A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT539A |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 |
