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BLS7G2729LS-350P中文资料LDMOS S-Band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
BLS7G2729LS-350P规格书详情
描述 Description
350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from2.7 GHz to 2.9 GHz.
特性 Features
High efficiency
Excellent ruggedness
Designed for S-band operation (2.7 GHz to 2.9 GHz)
Excellent thermal stability
Easy power control
Integrated ESD protection
High flexibility with respect to pulse formats
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
应用 Application
S-band radar applications in the frequency range 2.7 GHz to 2.9 GHz
技术参数
- 制造商编号
：BLS7G2729LS-350P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：13.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：50.0
- PL(1dB) (W)
：350.0
- PL(1dB) (dBm)
：55.4
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：2700
- Fmax (MHz)
：2900
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3254 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
AMP |
24+ |
SMD |
6618 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
SOT539B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT539A |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 |
