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BLS6G3135S-120中文资料LDMOS S-Band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLS6G3135S-120 |
| 参数属性 | BLS6G3135S-120 封装/外壳为SOT-502B；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B |
| 功能描述 | LDMOS S-Band radar power transistor |
| 封装外壳 | SOT-502B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 11:32:00 |
| 人工找货 | BLS6G3135S-120价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLS6G3135S-120规格书详情
描述 Description
120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
Internally matched for ease of use
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
Radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency range
S-Band power amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：BLS6G3135S-120
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：11.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：43.0
- PL(1dB) (W)
：120.0
- PL(1dB) (dBm)
：50.8
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：3100
- Fmax (MHz)
：3500
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
上海贝岭 |
23+ |
TO220, TO220F, TO247, TO3PN, D |
100000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SMD |
18000 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
上海贝岭 |
22+ |
TO220, TO220F, TO247, TO3PN, D |
150000 |
上海贝岭全系列在售,优势渠道 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SMD |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
1 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
