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BLS6G3135-120中文资料LDMOS S-Band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLS6G3135-120 |
| 参数属性 | BLS6G3135-120 封装/外壳为SOT-502A；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A |
| 功能描述 | LDMOS S-Band radar power transistor |
| 封装外壳 | SOT-502A |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 11:00:00 |
| 人工找货 | BLS6G3135-120价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLS6G3135-120规格书详情
描述 Description
120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
Radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency range
S-Band power amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：BLS6G3135-120
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：11.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：43.0
- PL(1dB) (W)
：120.0
- PL(1dB) (dBm)
：50.8
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：3100
- Fmax (MHz)
：3500
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3256 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
6 |
询价 | ||||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
CDFM2 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT608A |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
120 |
现货供应 |
询价 | |||
Ampleon |
22+ |
NA |
29 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
