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BLS9G3135L-115中文资料LDMOS S-band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLS9G3135L-115 |
| 参数属性 | BLS9G3135L-115 封装/外壳为SOT-1135A；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY |
| 功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
| 封装外壳 | SOT-1135A |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 22:30:00 |
| 人工找货 | BLS9G3135L-115价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLS9G3135L-115规格书详情
描述 Description
115 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 3.1 GHz to 3.5 GHz.
特性 Features
• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Excellent thermal stability
• Easy power control
• Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
• High flexibility with respect to pulse formats
• Internally matched for broadband matching in 3.1 GHz to 3.5 GHz S-band operation
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
应用 Application
• S-band radar applications in the frequency range 3.1 GHz to 3.5 GHz
技术参数
- 制造商编号
：BLS9G3135L-115
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：14.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：32.0
- ηD (%)
：49.0
- PL(1dB) (W)
：115.0
- PL(1dB) (dBm)
：50.6
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：3100
- Fmax (MHz)
：3500
- Status
：Production
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPEGARRY |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
JST |
25+ |
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200000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DIP |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Ampleon/安谱隆 |
24+ |
SOT1135A |
8500 |
Ampleon/安谱隆通信系列在售 |
询价 | ||
VISHAY原装 |
25+23+ |
DIP |
31323 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
SOT122A |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
DIP |
2500 |
询价 | |||
JST |
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75000 |
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JST/日压 |
22+ |
连接器 |
728922 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
