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NTBG014N120M3P

丝印:BG014N120M3P;Package:D2PAK-7L;Silicon Carbide (SiC) MOSFET ??14mohm, 1200V, M3, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 14 m • Low Switching Losses (Typ. EON 1331 J at 74 A, 800 V) • 100 Avalanche Tested Typical Applications • Solar Inverters • Electric Vehicle Charging Stations • UPS (Uninterruptible Power Supplies) • Energy Storage Systems • SMPS (Switch Mode Power Supplies)

文件:149.97 Kbytes 页数:6 Pages

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安森美半导体

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更多BG014N120M3P供应商 更新时间2025-9-20 15:01:00