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BG070N120M3S	文件：229.5 Kbytes Page：8 Pages	型号：NTBG070N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BG070N120M3S	文件：230.06 Kbytes Page：8 Pages	型号：NVBG070N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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型号：NTBG070N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA

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