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NVBG070N120M3S	文件：230.06 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG070N120M3S	文件：229.5 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL070N120M3S	文件：227.71 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL070N120M3S	文件：228.12 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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