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BG028N170M1	文件：240.67 Kbytes Page：8 Pages	型号：NTBG028N170M1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=28m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=222nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=200pF) •100AvalancheTested •RoHSCompliant TypicalApplications •UPS •DC/DCConverter •BoostConverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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BG028N170M1

文件：240.67 Kbytes

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型号：NTBG028N170M1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=28m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=222nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=200pF) •100AvalancheTested •RoHSCompliant TypicalApplications •UPS •DC/DCConverter •BoostConverter

ONSEMION Semiconductor

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更多BG028N170M1供应商更新时间2025-8-4 9:00:00

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