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NTBG028N170M1

丝印:BG028N170M1;Package:D2PAK-7L;Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 28 m • Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 222 nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 200 pF) • 100 Avalanche Tested • RoHS Compliant Typical Applications • UPS • DC/DC Converter • Boost Converter

文件:240.67 Kbytes 页数:8 Pages

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更多BG028N170M1供应商 更新时间2025-9-21 9:00:00