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NTBG028N170M1
厂商型号

NTBG028N170M1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L

丝印标识

BG028N170M1

封装外壳

D2PAK-7L

文件大小

240.67 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 8:14:00

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NTBG028N170M1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 28 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 222 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 200 pF)

• 100 Avalanche Tested

• RoHS Compliant

Typical Applications

• UPS

• DC/DC Converter

• Boost Converter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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