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NTBG015N065SC1_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTBG015N065SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

文件大小

303.61 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 16:10:00

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NTBG015N065SC1_V01规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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