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NTBG015N065SC1_V01	文件：303.61 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem

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