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NTBGS4D1N15MC

Power MOSFET, 150 V, 4.1 mΩ, 185A, Single N−Channel, D2PAK7

Power MOSFET, 150 V, 4.1 mΩ,185A, Single N−Channel, D2PAK7 • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG\n• Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Lowers Switching Noise/EMI\n• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NTBGS4D1N15MC

MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 m, 185 A

文件:356.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVBGS4D1N15MC

MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 m, 185 A

文件:233.7 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTBGS4D1N15MC

ON
TO-263-7

ON

NTCG163JF103FT1

TDK
SMD

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    150

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    4.5

  • ID Max (A):

    185

  • PD Max (W):

    3.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    \-\

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    \-\

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    \-\

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    88.9

  • Ciss Typ (pF):

    7285

  • Package Type:

    D2PAK-7/TO-263-7

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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更多NTBGS4D1N15MC供应商 更新时间2025-10-7 14:03:00