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NTBG020N120SC1_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTBG020N120SC1_V01
厂商型号

NTBG020N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

349.03 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:24:00

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NTBG020N120SC1_V01规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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