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NTBG015N065SC1_V02中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTBG015N065SC1_V02
厂商型号

NTBG015N065SC1_V02

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

文件大小

329.52 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 10:09:00

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NTBG015N065SC1_V02规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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