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NTBG015N065SC1_V02	文件：329.52 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o 文件：329.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTCG163JF103FT1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	TDK 东电化上传：北京天阳诚业科贸有限公司	TDK
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