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BG040N120M3S	文件：335.85 Kbytes Page：8 Pages	型号：NTBG040N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(TOT)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(COSS=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BG040N120M3S	文件：231.41 Kbytes Page：8 Pages	型号：NVBG040N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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型号：NTBG040N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(TOT)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(COSS=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalA

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Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons

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