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BZX559	文件：326.76 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanarzenerdiodes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C559	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CH559	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH559L	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH559T	文件：755.66 Kbytes Page：73 Pages	8-bitUSBsinglechipmicrocomputer	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CM559	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
HMC559	文件：951.86 Kbytes Page：11 Pages	TelecomInfrastructure GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC559	文件：306.07 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：404.64 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20.0GHz GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：429.42 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC559	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HN559	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications??? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
JC559	文件：44.43 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Low-noiseinputstagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
K559	文件：49.8 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDPOWERSWITCHING SILICONN-CHANNELMOSFET HIGHSPEEDPOWERSWITCHING	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KRA559E	文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA559U	文件：89.86 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MC559	文件：122.95 Kbytes Page：2 Pages	4wide3-2-2-3inputexpanderforand-or-invertgae 4WIDE3-2-2-3INPUTEXPANDERFORAND-OR-INVERTGATES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MIL-PRF-559	文件：240.13 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountQuadNPNTransistor Description:The2N6989U(TX,TXV)isahermeƟcallysealed,ceramicsurface‐mountdevice,consisƟngof4siliconNPNtransistors.The20pinceramicpackageisidealfordesignswhereboardspaceanddeviceweightareimportantdesignconsideraƟons. TypicalscreeninglotacceptancetestareperM	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
MRF559	文件：208.6 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF559	文件：136.27 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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更多BFR559供应商更新时间2024-9-21 15:00:00

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