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BFS540	文件：115 Kbytes Page：11 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS540	文件：253 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Figure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：81.52 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFS540_15	文件：118.41 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFS540_2015	文件：118.41 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFU540	文件：102.72 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGewidebandtransistor DESCRIPTION NPNSiGewidebandtransistorforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES •Veryhighpowergain •Verylownoisefigure •Hightransitionfrequency •Emitteristhermallead •Lowfeedbackcapacitance •45GHzSiGeprocess. APPLICATI	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGB540	文件：724.48 Kbytes Page：24 Pages	A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGB540	文件：129.669 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedRFTransistor Description SIEGET®-45NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features •Gms=18dBat1.8GHz •SmallSOT343package •Currenteasyadjustablebyanexternalresistor •Opencollectoroutpu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGB540LNA	文件：118.32 Kbytes Page：6 Pages	BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BO540W	文件：218.92 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIERVOLTAGE40VoltsCURRENT500mAmpers	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

详细参数

型号：
BFS540
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 120MA I(C) | SOT-323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英科美电子有限公司	BFS540	恩XP	23+	SOT23	66800	全新原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BFS540	恩XP	25+	SOT-323	20300	NXP/恩智浦原装特价BFS540即刻询购立享优惠#长期有货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	BFS540	恩XP	24+	SOT-323	89000	全新原装现货,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	BFS540	恩XP	24+	SOT-323	366000	新进库存/原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	BFS540	PHI	23+	SOT323	12300		询价
深圳市星佑电子有限公司	BFS540	PHI	05+	原厂原装	50051	只做全新原装真实现货供应	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	BFS540	原厂正品	23+	SOT-323	60000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	BFS540	恩XP	1716+	SOT-323	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BFS540	SOT-323	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳兆威电子有限公司	BFS540	NEXPERIA	23+	SOT323	63000	原装正品现货	询价

更多BFS540供应商更新时间2025-7-15 8:36:00

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