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BFP840FESD中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BFP840FESD

参数属性

BFP840FESD 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

功能描述

低噪声RF 管基
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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BFP840FESD规格书详情

描述 Description

BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT),具有集成 ESD 保护功能,适用于 5 GHz 频段应用。

特性 Features

• 高端 RF 性能与稳健性的独特组合:最大 RF 输入功率 20 dBm,1.5kV HBM ESD 硬度
• 高增益 Gms = 23 dB(5.5 GHz、1.8 V、10 mA)
• 适用于低压应用,例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻)
• 薄型、小尺寸无引线封装

简介

BFP840FESD属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP840FESD晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BFP840FESD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Gmax

    :27.50 dB @900 MHz

  • ICmax

    :35 mA

  • NFmin

    :0.60 dB @900 MHz

  • OIP3

    :21 dBm

  • OP1dB

    :4.5 dBm

  • Ptot

    :75 mW

  • VCEOmax

    :2.25 V

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