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BFP420E6327	文件：542.63 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For high gain low noise amplifiers • For oscillators up to 10 GHz • Noise figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz outstanding Gms = 21 dB at 1.8 GHz • Transition frequency fT = 25 GHz • Gold metallization for high reliability • SIEGET  25 GHz fT - Line • Pb-free (RoHS 文件：542.63 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP420E6327BTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BGA420E6327	文件：553.23 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain \|S21\|2 = 13 dB at 1.8 GHz IP3out = +13 dBm at 1.8 GHz (VD = 3 V, ID = typ. 6.7 mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Reverse isolation > 28 dB and return loss IN / OUT > 12 dB at 1.8 文件：553.23 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多BFP420E6327供应商更新时间2025-12-14 14:13:00