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BFP420E6327

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET25GHzfT-Line •Pb-free(RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

BFP420E6327BTSA1

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

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BGA420E6327

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8

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详细参数

  • 型号:

    BFP420E6327

  • 功能描述:

    TRANS NPN RF 4.5V SOT-343

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列:

    -

  • 产品变化通告:

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装:

    1

  • 晶体管类型:

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    4.7V 频率 -

  • 转换:

    47GHz

  • 噪声系数(dB典型值@频率):

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大:

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    160 @ 25mA,3V 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    45mA

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商设备封装:

    4-TSFP

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 其它名称:

    BFP 740FESD E6327DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT343
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更多BFP420E6327供应商 更新时间2024-4-24 15:20:00