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BFP420H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP420H6327	文件：542.63 Kbytes Page：9 Pages	For high gain low noise amplifiers NPN Silicon RF Transistor • For high gain low noise amplifiers • For oscillators up to 10 GHz • Noise figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz outstanding Gms = 21 dB at 1.8 GHz • Transition frequency fT = 25 GHz • Gold metallization for high reliability • SIEGET  25 GHz fT - Line • Pb-free (RoHS 文件：542.63 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP460BOARD	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	Infineon Technologies 上传：深圳市集好芯城科技有限公司	Infineon Technologies
BFP620	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-343	INFINEON 英飞凌上传：深圳市富利微电子科技有限公司	INFINEON
BFP620E6327	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-343	INFINEON 英飞凌上传：深圳市胜彬电子有限公司	INFINEON

产品属性

产品编号：
BFP420H6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1.8GHz
增益：
21dB
功率 - 最大值：
160mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 20mA，4V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
描述：
RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

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更多BFP420H6327XT供应商更新时间2026-1-26 23:00:00

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