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BFP420E6327分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFP420E6327 |
| 参数属性 | BFP420E6327 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
542.63 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | BFP420E6327价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFP420E6327规格书详情
BFP420E6327属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP420E6327晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
NPN Silicon RF Transistor
• For high gain low noise amplifiers
• For oscillators up to 10 GHz
• Noise figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz
outstanding Gms = 21 dB at 1.8 GHz
• Transition frequency fT = 25 GHz
• Gold metallization for high reliability
• SIEGET 25 GHz fT - Line
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101
产品属性
更多- 产品编号：
BFP420E6327BTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
25GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1.8GHz
- 增益：
21dB
- 功率 - 最大值：
160mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 20mA，4V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
6789 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原装 |
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INFINEO |
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SOT-343 |
20000 |
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5000 |
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