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BFP420分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFP420
厂商型号

BFP420

参数属性

BFP420 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

丝印标识

AMs

封装外壳

SOT-343 / SC-82A,SOT-343

文件大小

74.44 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:53:00

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BFP420规格书详情

BFP420属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP420晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For high gain and low noise amplifiers

• Minimum noise figure NFmin = 1.1 dB at 1.8 GHz Outstanding Gms = 21 dB at 1.8 GHz

• For oscillators up to 10 GHz

• Transition frequency fT = 25 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFP420E6433HTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    25GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 最大值:

    160mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 20mA,4V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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