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BDT65BF	文件：114.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= 12A • High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 5A • Complement to Type BDT64F/AF/BF/CF APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications 文件：114.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT65BF	文件：135.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：135.8 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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BDX33C其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

晶体管资料

型号：
BDT65BF
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
LSO
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV65BF,BDW93C,
最大耗散功率：
>22W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
22.0001

详细参数

型号：
BDT65BF
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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