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BDV64A | POWER TRANSISTORS(12A,125W)
文件：170.48 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
BDV64A | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV65-A-B-C Compliance to RoHS. 文件：77.75 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
BDV64A | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -12A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5A ·Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：251.73 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDV64A | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -lc= -12A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)=-2.0V(Max.)@ lc= -5A • Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：131.54 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV65, BDV65A, BDV65B and BDV65C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：120.77 Kbytes 页数：6 Pages | POINN | POINN | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.57 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C • 125 W at 25 °C Case Temperature • 12 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：643.99 Kbytes 页数：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：109.72 Kbytes 页数：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：110.73 Kbytes 页数：4 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors 文件：139.15 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV66A,BDW84B,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-62
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
BDV64A
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 80V 12A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWERINNOV |
24+/25+ |
10 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
询价 | |||
SEC/上优 |
23+ |
TO3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
BDV64A |
25+ |
500 |
500 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-3P |
8148 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
bourns |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
VAL |
23+ |
20000 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
PHI |
25+ |
TO-3P |
53200 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
SEC |
25+ |
TO3P |
250 |
原装正品,假一罚十! |
询价 |
