| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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BDV64A | POWER TRANSISTORS(12A,125W)
| MOSPEC MOSPEC |  | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDV65,BDV65A,BDV65BandBDV65C ●125Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A | POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd |  | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS •DesignedforComplementaryUsewithBDV64,BDV64A,BDV64BandBDV64C •125Wat25°CCaseTemperature •12AContinuousCollectorCurrent •MinimumhFEof1000at4V,5A | TRSYS Transys Electronics |  | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseingeneralpurposeamplifierapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
BDV64A | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
BDV64A | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV65-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor |  | |
BDV64A | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=-12A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max.)@lc=-5A •ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | | |
BDV64A | 包装：散装 封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 80V 12A TO218 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
包装：管件 封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93 | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV66A,BDW84B,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-62
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
BDV64A
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 80V 12A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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POWERINNOV |
10 |
原装正品现货供应 |
询价 | ||||
TO-3PN |
10000 |
全新 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原装 |
询价 | ||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
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1738+ |
TO-3P |
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POWERINNOV |
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TO3P |
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PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 |
