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BDV65	文件：170.48 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,125W) 文件：170.48 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BDV65	文件：77.68 Kbytes Page：4 Pages	NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV64-A- B-C Compliance to RoHS. 文件：77.68 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
BDV65	文件：135.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDV64/64A/64B/64C • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in general purpose amplifier applications. 文件：135.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDV65	文件：89.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：89.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDV65	文件：146.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：146.78 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDV65	文件：137.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDV64/64A/64B/64C • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65	文件：138.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：138.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65	文件：108.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：108.85 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDV65A	文件：170.48 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,125W) 文件：170.48 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BDV65A	文件：146.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：146.78 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN

晶体管资料

型号：
BDV65
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67,BDW83A,FH9C,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-62
vtest：
60
htest：
999900
atest：
12
wtest：
125

产品属性

产品编号：
BDV65
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
60MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS NPN 60V 12A TO218

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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