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BDV65C	文件：108.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：108.85 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDV65C	文件：138.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：138.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BDV65	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 12A TO218	CENTRAL	CENTRAL
BDV65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	10 A，100 V NPN 达林顿双极功率晶体管 The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The BDV65B (NPN) and BDV64B (PNP) are complementary devices. • High DC Current Gain HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc\n• Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors\n• These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDV65-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN DARL 60V 12A	Bourns 伯恩斯	Bourns
BDV65A-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 12A SOT93	Bourns Inc.	Bourns Inc.
BDV65B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BDV65
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67,BDW83A,FH9C,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-62
vtest：
60
htest：
999900
atest：
12
wtest：
125

产品属性

产品编号：
BDV65
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
60MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS NPN 60V 12A TO218

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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