BDV65B数据表ic资料批发供应安森美半导体-114ic电子网

首页 >BDV65B>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
BDV65B	文件：105.38 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − HFE = 1000 (min) @ 5 Adc • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistors • These are Pb−Free Devices* 文件：105.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDV65B	文件：135.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDV64/64A/64B/64C • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in general purpose amplifier applications. 文件：135.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDV65B	文件：89.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：89.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDV65B	文件：146.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：146.78 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDV65B	文件：137.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDV64/64A/64B/64C • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65B	文件：170.48 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,125W) 文件：170.48 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BDV65B	文件：110.06 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain HFE = 1000 (min) @ 5 Adc • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistors 文件：110.06 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BDV65B	文件：77.68 Kbytes Page：4 Pages	NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV64-A- B-C Compliance to RoHS. 文件：77.68 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
BDV65B	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDV65B	文件：108.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：108.85 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS

晶体管资料

型号：
BDV65B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67B,BDW83C,FH9D,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-62
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
125

产品属性

产品编号：
BDV65B
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
60MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS NPN 100V 12A TO218

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BDV65B	onsemi	25+	SOT-93	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	BDV65B		24+	TO-3PN	10000	全新	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	BDV65B	ST	24+	TO-3P	15000	原装现货热卖	询价
深圳市恒创达实业有限公司	BDV65B	ST	17+	TO-3P	6200		询价
上海金庆电子技术有限公司	BDV65B	PHI	新		393	全新原装货期两周	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BDV65B	TI	23+	TO-3P	8500	专做原装正品,假一罚百!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	BDV65B	ON/安森美	2447	TO-3P	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BDV65B	ON/安森美	23+	TO-218	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BDV65B	MOT	23+	TO-3P	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BDV65B	ON/安森美	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价

更多BDV65B供应商更新时间2026-1-17 9:38:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号