BDV65B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDV65B |
| 参数属性 | BDV65B 封装/外壳为TO-218-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93 |
| 功能描述 | DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
105.38 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 18:05:00 |
| 人工找货 | BDV65B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BDV65B规格书详情
BDV65B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的BDV65B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
特性 Features
• High DC Current Gain − HFE = 1000 (min) @ 5 Adc
• Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistors
• These are Pb−Free Devices*
产品属性
更多- 产品编号：
BDV65B
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
SOT-93
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
98+ |
TO-3P |
3 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-3P |
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