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BDV64C | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV65-A-B-C Compliance to RoHS. 文件：77.75 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
BDV64C | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -12A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5A ·Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：251.73 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDV64C | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -lc= -12A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)=-2.0V(Max.)@ lc= -5A • Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：131.54 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV65, BDV65A, BDV65B and BDV65C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：120.77 Kbytes 页数：6 Pages | POINN | POINN | |
BDV64C | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.57 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C • 125 W at 25 °C Case Temperature • 12 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：643.99 Kbytes 页数：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：109.72 Kbytes 页数：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：110.73 Kbytes 页数：4 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64C | Silicon PNP Power Transistors 文件：139.15 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BDV64C | Transistor | Comset | Comset |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV66C,BDW84D,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-70
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
详细参数
- 型号：
BDV64C
- 功能描述：
达林顿晶体管 125W 12A PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-3P |
15000 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
PHI |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
23+ |
20000 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
7 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-3P |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-218 |
12 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-343 |
260000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 |
