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BDV66A

POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)

16 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 125 WATTS

文件:102.73 Kbytes 页数:3 Pages

MOSPEC

统懋

BDV66A

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV67-A-B-C Compliance to RoHS.

文件:79.06 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

BDV66A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector Current -IC= -16A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A • Complement to Type BDV67/A/B/C APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications

文件:115.59 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BDV66A

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件:139.61 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDV66A

Transistor

Comset

晶体管资料

  • 型号:

    BDV66A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    16A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDW84C,2SB1079,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    16

  • wtest:

    200

详细参数

  • 型号:

    BDV66A

  • 制造商:

    SPC Multicomp

  • 功能描述:

    DARLINGTON TRANSISTOR TO-247

  • 制造商:

    TT Electronics/ Semelab

  • 功能描述:

    TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93

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更多BDV66A供应商 更新时间2026-1-19 16:00:00