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BDV66C	文件：115.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-16A •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-10A •ComplementtoTypeBDV67/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BDV66C

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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-16A •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-10A •ComplementtoTypeBDV67/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BDV66C

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PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV67-A-B-C CompliancetoRoHS.

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Comset Semiconductor

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Silicon PNP Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

详细参数

型号：
BDV66C
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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更多BDV66C供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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