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BDT60B	文件：199.63 Kbytes Page：2 Pages	Complement to Type BDT61/A/B/C DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A; -100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C ·Complement to Type BDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in audi 文件：199.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT60B	文件：212.33 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C • 50 W at 25 °C Case Temperature • 4 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：212.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT60B	文件：168.47 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：168.47 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDT60B	文件：719.45 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：719.45 Kbytes 页数：5 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BDT60B	文件：119.03 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDT60BF	文件：113.44 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D 文件：113.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT60BF	文件：131.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF • Complement to Type BDT61F/ 文件：131.08 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT60B-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 4A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

晶体管资料

型号：
BDT60B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD682,BDW24C,BDW54C,BDW64C,TIP117,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-89
vtest：
100
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
50

详细参数

型号：
BDT60B
功能描述：
达林顿晶体管 50W 4A PNP
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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