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BDT60B功能描述:达林顿晶体管 50W 4A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BDT60BF制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

BDT60B-S功能描述:达林顿晶体管 100V 4A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

晶体管资料

  • 型号：

    BDT60B

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    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

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    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    100V

  • 最大电流允许值：

    4A

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    >10MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD682,BDW24C,BDW54C,BDW64C,TIP117,

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