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BDT93	文件：117.3 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：117.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT93	文件：74.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：74.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT93F	文件：136.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：136.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT93F	文件：192.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：192.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT93	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 10A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.4A@4A3@3.3A@10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
90000mW
Maximum Transition Frequency：
4(Min)MHz
Type：
NPN

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