BDT60A数据手册供应价格无锡固电ISC-114ic电子网

首页 >BDT60A>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
BDT60A	文件：199.63 Kbytes Page：2 Pages	Complement to Type BDT61/A/B/C DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A; -100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C ·Complement to Type BDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in audi 文件：199.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT60A	文件：212.33 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C • 50 W at 25 °C Case Temperature • 4 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：212.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT60A	文件：168.47 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：168.47 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDT60A	文件：719.45 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：719.45 Kbytes 页数：5 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BDT60A	文件：119.03 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDT60AF	文件：113.44 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D 文件：113.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT60AF	文件：131.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF • Complement to Type BDT61F/ 文件：131.08 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS	Power Innovations	Power Innovations

晶体管资料

型号：
BDT60A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD718,BDW24B,BDW54B,BDW64B,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-89
vtest：
80
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
50

详细参数

型号：
BDT60A
功能描述：
达林顿晶体管 50W 4A PNP
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BDT60A		24+	TO-220	10000	全新	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	BDT60A	PHI	05+	原厂原装	1001	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市恒创达实业有限公司	BDT60A	ST	17+	TO-220	6200		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BDT60A	西门子	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BDT60A	ST/意法	2022+	TO-220	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	BDT60A	ST	26+	SOP	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BDT60A	ST	25+	TO-TO-220	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	BDT60A	ST	25+	TO-220	16900	原装，请咨询	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	BDT60A	ST	2511	TO-220	16900	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	BDT60A	ST	26+	TO-220	60000	只有原装可配单	询价

更多BDT60A供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号