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BCP55-16	文件：489.81 Kbytes Page：2 Pages	1A , 60V NPN Silicon Medium Power Transistor FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage 文件：489.81 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP55-16	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：48.04 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP55-16	文件：827.56 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：827.56 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP55-16	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	丝印：BCP55/16；Package：SOT223；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.98381 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55-16	文件：1.70594 Mbytes Page：5 Pages	丝印：BCP55-16；Package：SOT223；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Features High Collector Current Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.70594 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BCP55-16-C	文件：329.82 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Medium Power Transistor FEATURES • For AF Driver and Output Stages • High Collector Current • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：329.82 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP55-16-Q	文件：247.94 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP55/16；Package：SOT223；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 文件：247.94 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55-16T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.32 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55-16T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	丝印：P5516T；Package：SOT223；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP5516TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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晶体管资料

型号：
BCP55
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP55
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP55供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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